导读：

DRAM市场正经历一场前所未有的“变局”，全球三大厂商集体宣告停产DDR4、转产DDR5，DRAM市场不可避免地开启了涨价模式。在DRAM主要供应商将逐渐收敛Server和PC DDR4产出、美国关税导致买方提前备货等因素影响下，TrendForce预计，Server与PC DDR4模组价格在二季度将分别环比增长18-23%和13-18%，到三季度分别环比增长8%-13%和18%-23%。

另一件大事是，一国产DRAM龙头计划在2025年底前交付第四代高带宽存储器样品（HBM3），预计从2026年开始全面量产，其还设定了2027年开发第五代HBM（HBM3E）的目标。算力基建的规模化扩张，直接推动大容量存储时代的提前到来，HBM（高带宽内存）技术已成为长期竞争焦点。

正文：

继4月海外存储大厂率先调升NAND Flash报价后，受旺盛需求驱动，DRAM市场也开启涨价模式。

近日，美国DRAM芯片大厂美光正式通知PC和数据中心客户，其內存产品DDR4将停产，预计未来2-3季陆续停止出货，仅针对车用、工业、网通的长期客户供货。

美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，DDR4将继续“严重缺货”，甚至导致其价格高于DDR5 或LPDDR5。预计未来3个季度后，消费性、PC及数据中心用DDR4 DRAM将进行缩产或减产。

三大厂商集体转产DDR5

此前，韩系两大存储原厂已先后释出DDR4停产时程。

三星于4月表示，将于年内停止生产DDR4，把重心转向更高阶、利润更高的DDR5、LPDDR5和HBM內存。随后，SK海力士也向供应商发出信件，宣布2025年将DDR4产量占比从30%压到20%，全力转产HBM和DDR5。

至此，包括三星、SK海力士、美光在内的全球前三大DRAM厂商，均已宣布退出DDR4市场，并敦促客户加速向DDR5世代产品转换。

自3月起，各大存储晶圆原厂陆续宣布进入新一轮减产或控产周期，同时下游客户消化库存进程也基本结束，推动半导体存储市场逐步回暖，存储芯片的价格涨势已从年初延续至二季度。

国盛证券数据显示，DDR4产品涨幅尤为显著，8Gb（512Mx16）2666 Mbps从年初的1.63美元，高增78.2%至6月10日的2.91美元；DDR4 8GB RDIMM服务器内存价格也从4月的1.75美元，增长56%至5月底的2.73美元。

此外，LPDDR4X/32Gb以及LPDDR4X/48Gb的价格，也从1月的5.4美元、9美元，调涨至6月的8.7美元、13.9美元，涨幅分别高达61%和54%。

有行业人士表示，DDR4内存的定价目前处于混乱状态，部分报价甚至上涨了高达100%。韩媒也报道称，三星在5月初与主要客户重新协商了定价条款，将DDR4内存价格提高了约20%。

在DRAM主要供应商将逐渐收敛Server和PC DDR4产出、美国关税导致买方提前备货等因素影响下，TrendForce预计，Server与PC DDR4模组价格在二季度将分别环比增长18-23%和13-18%，到三季度分别环比增长8%-13%和18%-23%。

国产HBM3年底前冲刺验证

当前，全球算力需求呈现爆发式增长态势，驱动云厂商资本开支持续加码。

海外科技巨头（如亚马逊AWS、微软Azure、谷歌云）为抢占AI算力高地，2025年资本开支预计同比提升20%-30%，重点投向AI服务器集群与数据中心扩建。国内云厂商（如阿里云、腾讯云、华为云）也加速追赶，资本开支增速连续三个季度保持30%以上，聚焦国产AI芯片适配与算力网络优化。

算力基建的规模化扩张，直接推动大容量存储时代的提前到来，HBM（高带宽内存）技术已成为长期竞争焦点。

一个最新的行业进展是，长鑫存储计划在2025年底前交付第四代高带宽存储器样品（HBM3），并预计从2026年开始全面量产。长鑫存储还设定了2027年开发第五代HBM（HBM3E）的目标。

这意味着，在高端存储芯片领域，中国企业正逐步缩小与国际领先企业的差距，未来几年内有望与三星、SK海力士和美光等全球存储芯片巨头同台竞技。

同时也需看清，国内HBM3即将迈出关键一步的同时，国外巨头已在冲刺HBM4。三星正按计划推进HBM4的开发，预计2025年下半年量产，2026年实现商业出货；SK海力士于3月19日率先向客户交付HBM4样品，在时间上领先竞争对手；美光已向关键客户交付36GB、12层堆叠的HBM4样品，用于2026年新一代AI平台的量产准备。

集邦咨询分析指出，HBM迭代速度极快，预计到2025年，最新一代产品HBM3e将占据2025年出货份额超过90%，2026年HBM4将开始渗透入市场。

开源证券认为，随着国内算力芯片出货量持续提升，国产存储模组有望迎来市场规模提升及国产化率提升的双击。

GDDR方面，HBM采用TSV（硅通孔）技术堆叠DRAM die以大幅提升I/O数，再配合2.5D先进封装制程，在维持较低内存频率的同时达到更显著的总通道宽度提升，目前已广泛应用于各类算力芯片中；利基存储方面，随边缘端算力发展，NPU+3DRAM或成为产业趋势，此外AI端侧亦将拉动Nor Flash等利基存储需求。

电子行业中报整体趋势延续

随着时间步入年中，A股半年报预告逐渐拉开帷幕。电子行业二季度整体业绩延续了正常需求下的增长趋势。根据中信证券预期：

• 报告期内算力相关下游强劲，且整体海外算力链强于国产算力链；
• B端服务器、光储、家电及工控自动化等需求持续强劲，预计带动相关模拟、功率和成熟制程产业链表现较好，且景气度有望延续；
• 消费电子二季度为传统淡季，需求保持平稳，预计部分受益份额提升及创新升级的公司业绩较好；
• 自主可控产业链国产化稳步推进，先进逻辑订单逐步落地，存储订单保持平稳，且行业并购整合趋势明确。

中信证券认为，二季度业绩表现相对亮眼的细分板块或在PCB、模拟、存储、设备、光学、SoC、CIS中产生。

消费电子板块：下游需求整体相对平稳，5月IoT抢出口，品牌公司陆续上新带来看点。

半导体板块：toB需求驱动结构性景气，制造环节稼动率环比提升，设备订单稳定增长。

其中，制造/封测方面，制造公司营收预计平稳增长，成熟制程与模拟业务需求佳；封测公司稼动率环比提升，收入增长可见度高于利润。

半导体设备/零部件领域，在手订单有望稳步确认，多数公司收入预计增超30%，利润端分化，净利率有望回升；订单层面，先进逻辑订单强，存储订单平稳，全年新签订单预计增30%左右。

半导体设计中，存储芯片需求回暖、主流与利基DRAM涨价；模拟芯片消费类平稳，汽车及工控复苏；功率器件受多领域需求复苏影响，营收有望普遍增长。

电子零组板块：AI+汽车需求持续景气。AI持续高景气，PCB受益于大客户爬产及高端产能布局。

风险提示：中美贸易摩擦加剧；下游市场需求不及预期；新技术研发不及预期；国产替代不及预期。